三星宣布全球首發(fā)量產(chǎn)512GB eUFS閃存
作者：admin發(fā)表時間：2018-01-16瀏覽量：2187【小中大】
三星512GB eUFS控制器采用64層512Gb V-NAND先進的電路設計和新的電源管理技術，將能源消耗降到最低。另外，512GB eUFS控制器芯片加速了將邏輯塊地址轉換為物理塊地址的映射過程。
文本標簽：三星宣布全球首發(fā)量產(chǎn)512GB eUFS閃存
三星512GB eUFS控制器采用64層512Gb V-NAND先進的電路設計和新的電源管理技術，將能源消耗降到最低。另外，512GB eUFS控制器芯片加速了將邏輯塊地址轉換為物理塊地址的映射過程。
三星512GB eUFS讀寫性能也非常強大。512GB嵌入式存儲器的順序讀寫速度分別達到860MB/s和255MB/s，能夠在6秒內將5GB的全高清視頻片段傳輸?shù)絊SD，相比于普通的micro SD卡速度提高了8倍。
對于隨機操作，三星512GB eUFS可以讀取42,000 IOPS并寫入40,000 IOPS?；趀UFS的快速隨機寫入，比傳統(tǒng)micro SD卡的100 IOPS速度快大約400倍，移動用戶可以享受無縫的多媒體體驗，如高分辨率連拍，以及雙重文件搜索和視頻下載應用程序查看模式。
另外，三星還計劃穩(wěn)步增加其64層512Gb V-NAND芯片的產(chǎn)量，并擴大256Gb V-NAND芯片的產(chǎn)量，以滿足高級嵌入式移動存儲以及高密度、高性能的高級固態(tài)硬盤和可移動存儲卡的需求。
